Компания Samsung сообщила о старте массового производства первых в индустрии 12 Гб чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4, созданных на основе 20-нанометрового технологического процесса. Как утверждает корейская компания, Samsung LPDDR3 обладает емкостью 12 Гбит, также он может похвалиться увеличенной пропускной способностью и самой высокой скоростью работы, которая сегодня доступна на рынке чипов DRAM-памяти.
20-нм 12-гигабитный LPDDR4 чип с 4,266 Мбит/с гарантирует примерно на 30% более высокую производительность в сравнении с 8-гигабитным LPDDR4 чипом. Новые чипы планируется применять в флагманских мобильных гаджетах. Новинка позволит установить 3 Гб или даже 6 Гб мобильной DRAM-памяти в один гаджет, для чего предполагается использовать, соответственно, 2 и 4 микросхемы. Отметим также, что 6 Гб чип занимает столько же места, что и 3 Гб.
получить rss-ленту