Японская Toshiba сообщила о своем намерении ускорить процесс разработки и непосредственно само производство памяти нового типа. Напомним, что корпорация пытается создать флеш-модуль памяти NAND с трехмерной архитектурой.
По планам Toshiba, выпуск прототипов модулей емкостью 128 или 256 Гбит должен состояться в 2013 году, тогда как инженерные образцы подобных изделий появятся на свет в 2014 году. Массовое производство памяти нового типа намечено на 2015 год, когда корпорация начнет отгрузки микросхем на 512 Гбит. В недалекой после этого перспективе планируется наладить выпуск чипов емкостью 1 Тбит и выше.
Кроме того, ориентировочно в 2013 году будут представлены образцы резистивной памяти с произвольным доступом ReRAM с 3D-структурой. Подобная память ReRAM (или RRAM) совмещает в себе достоинства DRAM и флеш-памяти NAND: микросхемы ReRAM обеспечивают фактически такое же быстродействие, что и DRAM, но остаются при этом энергонезависимыми. По сравнению с NAND память нового типа будет характеризоваться меньшим энергопотреблением и значительно большим числом циклов перезаписи.
ADATA Technology Co. сообщила о расширении линейки XPG Xtreme Series DDR3 двухканальными наборами памяти DDR3-2133X емкостью в 8 ГБ и 16 ГБ, которые созданы специально для увлеченных пользователей, для коих особенно важна большая емкость и ...
ADATA Technology отчиталась о начале продаж новой разработки из области игровых технологий, модулей оперативной памяти XPG Gaming v2.0 Series DDR3 2600G 8 ГБ. Эта двухканальная память была разработана и спроектирована для того, чтобы ...
ADATA Technology Co. сообщила о выпуске новой линейки модулей серверной памяти DDR3L ECC SO-DIMM, отличающихся работой при низком напряжении, высокой емкостью и быстрой скоростью обработки данных. Данные модули созданы специально для ...