Японская Toshiba сообщила о своем намерении ускорить процесс разработки и непосредственно само производство памяти нового типа. Напомним, что корпорация пытается создать флеш-модуль памяти NAND с трехмерной архитектурой.
По планам Toshiba, выпуск прототипов модулей емкостью 128 или 256 Гбит должен состояться в 2013 году, тогда как инженерные образцы подобных изделий появятся на свет в 2014 году. Массовое производство памяти нового типа намечено на 2015 год, когда корпорация начнет отгрузки микросхем на 512 Гбит. В недалекой после этого перспективе планируется наладить выпуск чипов емкостью 1 Тбит и выше.
Кроме того, ориентировочно в 2013 году будут представлены образцы резистивной памяти с произвольным доступом ReRAM с 3D-структурой. Подобная память ReRAM (или RRAM) совмещает в себе достоинства DRAM и флеш-памяти NAND: микросхемы ReRAM обеспечивают фактически такое же быстродействие, что и DRAM, но остаются при этом энергонезависимыми. По сравнению с NAND память нового типа будет характеризоваться меньшим энергопотреблением и значительно большим числом циклов перезаписи.
ADATA Technology анонсировала память для оверклокеров из серии XPG V2, с выдающейся частотой работы 3100 мегагерц– XPG V2 3100. Эта двухканальная память позволит геймерам добиться высокой производительности в играх в сочетании c четвертым ...
KINGMAX уже демонстрировала ранее образцы памяти DDR4 на июньской выставке COMPUTEX в Тайпее. И сейчас компания официально анонсирует решение DDR4, представляя полноценные продукты для массового рынка. Отвечая рыночным запросам, компания ...
Сегодня, во времена всеобщей глобализации, унификации и стандартизации удивить кого-то каким-то необычным продуктом становится все сложнее. Это касается и компьютерной индустрии, в особенности, когда речь идет о продукции, предназначенной ...