Toshiba ускоряет разработку 3D флеш-памяти

Японская Toshiba сообщила о своем намерении ускорить процесс разработки и непосредственно само производство памяти нового типа. Напомним, что корпорация пытается создать флеш-модуль памяти NAND с трехмерной архитектурой.

По планам Toshiba, выпуск прототипов модулей емкостью 128 или 256 Гбит должен состояться в 2013 году, тогда как инженерные образцы подобных изделий появятся на свет в 2014 году. Массовое производство памяти нового типа намечено на 2015 год, когда корпорация начнет отгрузки микросхем на 512 Гбит. В недалекой после этого перспективе планируется наладить выпуск чипов емкостью 1 Тбит и выше.

Кроме того, ориентировочно в 2013 году будут представлены образцы резистивной памяти с произвольным доступом ReRAM с 3D-структурой. Подобная память ReRAM (или RRAM) совмещает в себе достоинства DRAM и флеш-памяти NAND: микросхемы ReRAM обеспечивают фактически такое же быстродействие, что и DRAM, но остаются при этом энергонезависимыми. По сравнению с NAND память нового типа будет характеризоваться меньшим энергопотреблением и значительно большим числом циклов перезаписи.