nestormedia.com nestorexpo.com nestormarket.com nestorclub.com
на главнуюновостио проекте, реклама получить rss-ленту

Toshiba ускоряет разработку 3D флеш-памяти


Toshiba ускоряет разработку 3D флеш-памяти
Японская Toshiba сообщила о своем намерении ускорить процесс разработки и непосредственно само производство памяти нового типа. Напомним, что корпорация пытается создать флеш-модуль памяти NAND с трехмерной архитектурой.

По планам Toshiba, выпуск прототипов модулей емкостью 128 или 256 Гбит должен состояться в 2013 году, тогда как инженерные образцы подобных изделий появятся на свет в 2014 году. Массовое производство памяти нового типа намечено на 2015 год, когда корпорация начнет отгрузки микросхем на 512 Гбит. В недалекой после этого перспективе планируется наладить выпуск чипов емкостью 1 Тбит и выше.

Кроме того, ориентировочно в 2013 году будут представлены образцы резистивной памяти с произвольным доступом ReRAM с 3D-структурой. Подобная память ReRAM (или RRAM) совмещает в себе достоинства DRAM и флеш-памяти NAND: микросхемы ReRAM обеспечивают фактически такое же быстродействие, что и DRAM, но остаются при этом энергонезависимыми. По сравнению с NAND память нового типа будет характеризоваться меньшим энергопотреблением и значительно большим числом циклов перезаписи.


авторы
Сергей Смирнов
компании и бренды
Toshiba
номер
2012/27

Еще из раздела оперативная память
ADATA увеличила скоростной порог DDR3L ECC SO-DIMM от ADATA KINGMAX представила модули памяти ECC DDR3 SO-DIMM Вниманию оверклокеров: память XPG V2 3100
© 2016 PressEnter